小信号晶体管

BCV27TActive

BCV27T系列N沟道MOSFET,采用标准SOT-523封装,产品导通电阻低，特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用，能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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电性参数

Part Number BCV27T

Package SOT-523

AEC-Q101 QualifiedNo

Type N

PCM(W) 0.15

IC(A) 0.5

VCBO [Max] (V) 40

VCEO [Max] (V) 30

VEBO [Max] (V) 10

hFE [Min] 4000

hFE [Max] 20000

fT [Min] (MHz) 220

TJ (°C) 150

Status Active

产品特性

Medium current (max. 500 mA) Low voltage (max. 60 V) High DC current gain (min. 20 000)