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2N7002KE

概述 电性参数 产品特性 产品应用 相关文档

小信号Mosfet

2N7002KEActive

2N7002KE系列N沟道MOSFET,采用标准SOT23-3L封装,产品导通电阻低,特别适用于网络通讯、安防监控、笔记本电脑、手机、TWS蓝牙耳机、智能照明、工业电源等领域的应用,能够在小型表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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电性参数

Part Number 2N7002KE
Package SOT-23
AEC-Q101 QualifiedNo
Channel Type N
With ESD No
VDS [Max] (V) 60
VGS [Max] (V) ±20
ID [Max] (A) 0.5
RDS(ON)@10V
[Typ] (mΩ)
1500
RDS(ON)@10V
[Max] (mΩ)
2000
RDS(ON)@4.5V
[Typ] (mΩ)
2000
RDS(ON)@4.5V
[Max] (mΩ)
2700
RDS(ON)@2.5V
[Typ] (mΩ)
-
RDS(ON)@2.5V
[Max] (mΩ)
-
PD [Max] (W) -
TJ (°C) 150
Status Active

产品特性

High Density Cell Design For Low RDS(On) Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable

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